三星DRAM月产量降至两年新低，存储芯片三巨头集体酝酿涨价（利好）（学习日期：2023/7/9）

一、事件

测算数据显示，7月三星将DRAM月产量削减至62万片晶圆，同比减少12%以上，创下了公司自2021年第三季度以来DRAM产量的新低。

距离三星4月宣布减产已过去了三个月，如今减产效果真正显现。

报道称三星内部计划将减产持续至明年，在半导体市场重回供需平衡之前，公司将避免扩产存储芯片。

与此同时，三星也开始积极与主要客户重新谈判DRAM价格——外界认为，这也意味着三星正在逐渐摆脱库存过剩的负担。

业内人士透露，面对行业传统旺季，三星、SK海力士及美光三家存储巨头都计划调涨DRAM的下一季度合约价，目标涨幅7%-8%。

二、简介

存储芯片，也叫半导体存储器，是以半导体电路作为存储媒介的存储器，用于保存二进制数据的记忆设备。

存储芯片是半导体产业的重要分支，约占全球半导体市场的四分之一至三分之一。

存储芯片行业：

（1）上游主要为硅片、光刻胶、CMP抛光液等原材料以及光刻机、PVD、CVD、刻蚀设备、清洗设备和检测与测试设备等设备；

（2）中游为存储芯片制造及封装，常见的存储芯片包括DRAM、NAND闪存芯片和NOR闪存芯片等；

（3）下游为消费电子、信息通信、高新科技技术和汽车电子等应用领域。

半导体存储芯片的最大贡献是解决了海量信息的存储问题。

电子计算机的存储器最初是机电装置（如继电器），后为磁性介质（如磁鼓、磁带、磁芯）。

但磁性介质存在体积大、质量大、存储量小的弊端。

1967年7月，同时发明了两种半导体存储器：

一是在IBM工作的登纳德发明的动态随机存取存储器（DRAM），

二是在美国贝尔实验室工作的华裔科学家施敏和韩裔科学家姜大元发明的非易性半导体存储器（NVSM）。

此后，日本东芝公司舛冈士雄的闪存芯片（Flash Memory）正是在NVSM原型基础上开发出来的。1969年，Intel研制成功64bit双极静态随机存取存储器（SRAM）芯片C3101。

几个重量级技术的成功开发开创了半导体存储器的先河，成为存储芯片开发的奠基时期。

三、分类

依据存储芯片的功能、读取数据的方式、数据存储的原理大致区分为易失性存储器和非易失存储器.

（1）易失性存储芯片在所在电路断电后，将无法保存数据，代表性产品有DRAM和SRAM，其中DRAM是绝对主流，SRAM虽然读写速度较快，但因为集成度较低，价格相对昂贵，因此多用于CPU的一、二级缓存。

（2）非易失性存储芯片在所在电路断电后，仍保有数据，代表性产品为NAND FLASH和NOR FLASH。

- 挥发性存储芯片分为 DRAM 和 SRAM：

（1）DRAM 具有读写速度慢、成本低的特点，常用于容量大的主存，如 PC、手机、服务器内存等，也是整个存储芯片市场占比最大的产品；

（2）SRAM 则具有制造成本高、读写速度快的特点，常用作高速缓冲存储器，如 CPU 的一、二级缓存等，全球市场规模相对较小，仅约数亿美元。

- 非挥发性存储芯片中 Flash（闪存）芯片占比最大，具体又分为 NOR Flash 和 NAND Flash：

（1）NOR Flash 即代码型闪存芯片，特点在于读取速度快、可靠性强、寿命长，以及地址线和数据线分开因而应用程序可以直接在 NOR Flash运行，主要用来存储代码及少量数据，全球市场规模约25亿美元；

（2）NAND Flash即数据型闪存芯片，全球市场规模约 550 亿美元，其中主要为大容量 NAND Flash，包含 MLC/TLC 2D NAND 或 3D NAND，擦写次数从几百次至数千次，多应用于大容量数据存储(如固态硬盘 SSD)，而占比较小的小容量 NANDFlash 主要是 SLC 2D NAND，可靠性更高，擦写次数达到数万次以上。

四、拐点

存储芯片属于典型的周期性行业。由于通用性强，厂商根据景气度来调节产能，通常3年至4年为一个周期。

本轮周期的上行期始于2020年，全球电脑、手机等终端产品需求迎来一波快速增长，存储芯片市场规模扩容。

2021年下半年起，存储芯片市场开始降温，行业进入长达近两年的下行期。

近日，周期拐点信号显现。分析师陈海进表示：“根据集邦咨询的调研，DRAM方面，美光公司、SK海力士等已经启动DRAM减产，DRAM价格预计在第二季度跌幅收窄。NANDFlash方面，今年第二季度均价下跌幅度预计收至5%至10%。

根据我们的调研，旺宏部分NorFlash料号的价格已在3月份实现环比增长。整体来看，存储芯片行业在第二季度后将逐步企稳。”

多家券商近日陆续发布研报，表达了类似观点。中信证券研报表示：“存储芯片库存有望在第二季度见顶，第三季度价格有望逐步止跌企稳。”

五、分析

存储芯片占整个半导体市场规模的35.05%。中国虽然是全球重要的存储芯片消费大国，但却主要依赖进口。

集邦咨询数据显示，截至2022年第四季度，DRAM市场中，三星、SK海力士和美光公司的市占率分别为45.1%、27.7%和23.0%，三者共占据96%左右份额；NAND Flash市场中，三星、铠侠、SK集团、西部数据、美光公司的市场份额总计在97%左右。

东吴证券指出，美光审查事件落地，有望加快存储国产化进程。伴随三星2023第一季度利润暴跌96%，存储业务亏损达3万亿韩元，三星正式宣布存储芯片减产，截至2023年3月中旬已减产20%。

由于存储产品库存达到顶峰，存储价格跌至低谷，为减少亏损，长江存储也正式宣布存储晶圆涨价3-5%，外媒报道铠侠与西部数据将加快合并事宜谈判以增强竞争力。存储赛道供给格局持续优化，静待下游需求景气度回暖。

自2022年初以来存储下游需求不振引发供需错配，厂商竞相出货导致存储价格持续下探。2023年一季度存储产品价格继续下跌，伴随下游笔电需求回暖、AI应用浪潮袭来与汽车市场景气度上升，叠加龙头企业减产停止价格跌势，预计价格在2023年二季度环比跌幅持续缩小，存储产品价格有望迎来拐点。

海外存储大厂如美光、海力士相继缩减资本支出并降低产能利用率，国内厂商库存拐点逐渐显现。根据测算，2023年全球AI服务器存储市场规模为81亿美元，预计2026年能达到492亿美元，2023-2026年CAGR为82.5%，AI服务器带来的增量主要体现在对大容量DDR、HBM、SSD产品的拉动。

车载存储方面，根据Yole数据，2027年车载存储市场规模达到125亿美元，2021-2027年CAGR为20%，随着美光产品被禁，车载存储领域的国产替代进程将继续加快。

该机构表示，通过对产业链主要玩家减产动作、库存及价格逐渐见底等观测，当前存储行业已进入筑底阶段，具有估值底部复苏预期，并且在美光审查落地、长存NAND产品小幅提价等催化下，在当前时点看好存储产业尤其是国产化进程加速，在景气度反转前提下，格局未来有望呈现国产化加速的局面。

基于产业配套及国产化替代等逻辑，存储产业投资重点看三条主线：

1）建议关注

国内存储芯片材料设备、设计、晶圆及代工厂、模组、封测等产业链相关厂商： 长江存储、长鑫存储、

三星、海力士等大厂的材料供应商：雅克科技、彤程新材、晶瑞电材等；

半导体设备供应商：北方华创、拓荆科技、长川科技、盛美上海等；

封测厂商：深科技、通富微电等。

2）利基存储及配套芯片IC设计厂商：

兆易创新、东芯股份、澜起科技、聚辰股份、德明利、北京君正、芯天下等。

3）国产化产业链：

材料及设备（南大光电等）、

模组厂商（佰维存储、江波龙、朗科科技等）；

晶圆代工厂（华虹宏力、中芯国际等）；

封测（新益昌、华天科技、长电科技等）；

分销厂商（香农芯创、雅创电子、中电港等）。

华安证券认为，存储行业当前处于周期较为底部的位置，供给收窄有利于减缓价格下降。

根据CFM和Trendforce，部分DRAM与NAND产品将于23Q3实现价格上涨。

且美光遭审查利好国内存储竞争格局。预计存储行业有望在23H2迎来复苏，

建议关注兆易创新、北京君正、东芯股份、普冉股份等。

唯真财经

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